특별기고 / 예놉틱코리아(주) - 펨토초 레이저 소스 활용성과 펨토초 레이저 소스를 이용한 태양광 전지의 SiN 패시베이션층 제거 - Ablation of SiN Passivation Layers on Photovoltaic Cells with Femtosecond Laser Source -
본 내용은 The 5th International Congress on Laser Advanced Materials Processing(LAMP 2009)에 발표된 내용으로, 태양전지용 단결정과 다결정의 실리콘 웨이퍼에서 반사방지(Antireflection)와 패시베이션(Passivation) 층으로 사용되는 실리콘질화계(SiN) 코팅에 대한 초고속, 선별적 제거에 대한 결과이다. 또한 NIR(근적외선) 펨토초(Femtosecond) 레이저 펄스를 이용한 제거 방법과 격자(Lattice) 손상을 최소화하는 냉연제거(Cold Ablation)에 대해 살펴보고자 한다. 100kHz의 반복율(Repetition Rate)에서 싱글샷(Single Shot)을 이용한 층 제거의 실질적인 결과물을 보여주고, 마지막으로 NIR 피코초(Picoseconds) 레이저를 이용한 층 제거(Layer Ablation)와 차이를 비교하였다. 연구 성과와 관련한 사항은 예놉틱코리아 박준형 차장(Tel. 031-6464-026)에게 문의하면 된다.
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관련 연구성과는 월간 레이저기술 2012년 1월호(통권 216호)에 게재되어 있다.
